128-битный AX

[Pavia]

shm

Цитата shm @ 14.02.13, 19:26

И все же интересует услышать у адептов большихгигантских чисел ответ на вопрос: в каких реальных задачах они так часто их применяют?

Был бы процессор, а задачи мы найдём.


leo

Цитата leo @ 19.02.13, 08:15

о околонаучные IT-байки предрекают кончину традиционной CMOS-технологии уже к ~2020 году, когда будет достигнут предел ~5-8 нм ...

Всё намного печальнее. Придел уже достигнут.
1) Токи утечки стали расти. И стали с ними бороться придумывать "новые" транзисторы, новые затворы.
2) При расстоянии около 15 нм ток начинает вести себя странным образом. Есть данные чуть ли что он начинает течь в обратную сторону.
Поэтому проводники разносят на большом расстоянии.
Правда изобрели графен. У него проводимость как у проводника.
3) А ещё там есть проблемы с формированием структуры. Но вроде как они решены.

Сообщение отредактировано: Pavia - 27.02.13, 16:14

[Славян]

Цитата Pavia @ 27.02.13, 16:11

Всё намного печальнее. Придел уже достигнут.

Не стОит столь пессиместично! ;-) Это они, создатели(AMD/Intel), подошли к пределу оттого, что используют устаревающую, но проверенную десятилетиями двоичную логику и управляют нулём да единичками. А если раскрутят (CMOS=с помощью токов) как содержать какую-то 'капусту', у которой много состояний, а места мало, то там ещё, думается, один порядок найдётся.
Но потом - да, только свет будет спасать. А это ещё пару порядков, не меньше...

[Pavia]

По поводу многих состояний при увелечении их в 2 раха т.е до 4 приводит к потере стабильности в 10 раз для еденичного элемента, а для системы в 100 раз. Что очень много.
Да будут и другие технологии, но это будет не CMOS.

[shm]

Цитата andriano @ 27.02.13, 09:38

А можно пояснить, какое отношение этот вопрос имеет к рассматриваемой теме?

Ну как пример расширения архитектуры ,только в реально нужном и не только для графики направлении. Также уже давно появились команды для аппаратной поддержки AES. Все это несомненно увеличивает производительность, а вот переход на 128битные POH ее для подавляющего большинства задач ее снизит.

Цитата andriano @ 27.02.13, 09:38

"640К хватит на все!"
Это мы уже проходили.

Речь не об этом, уже сейчас можно придумать гипотетические задачи в рамках моделирования каких-то сложных процессов, где и 2^64 байт будет недостаточно, другое дело, что вряд ли это будет реализовано в рамках одной задачи (в контексте ОС) и на это есть множество причин. К тому же если эти объемы и будут достигнуты, то точно не в рамках CMOS, так что возможно будут созданы принципиально новые модели.

Сообщение отредактировано: shm - 28.02.13, 14:46

[leo]

Цитата Pavia @ 28.02.13, 14:04

Да будут и другие технологии, но это будет не CMOS.

Вроде как HP уже в этом (2013) году намеревалась выпустить мемристорную память, да перенесла на 2014, якобы чтобы не подрывать существующий рынок SSD. Так-что "революция" не за горами
Но до исчерпания возможностей 2⁶⁴, думается, дело никогда не дойдет. Главное, как я уже сказал, такой огромный объем памяти для сравнительно быстрого ОЗУ нафиг не нужен, т.к. непонятно сколько процессоров и какое время должны его обрабатывать - проще при необходимости подкачивать данные с SSD\HDD

Сообщение отредактировано: leo - 28.02.13, 16:08

[Pavia]

leo
В Википедии написано много. Но честно на беглый взгляд не профессионала она годится только, как замена Flash.
В процессоре используются элементы с быстрым доступом но надёжность достигается числом элементов. В ОЗУ используются менее надёжные элементы, но там решается обновлением ячеек. Т.е меньшая скорость доступа. Зато выигрывают за счёт компактности.

У мемристорной памяти скорость маленькая по сравнению с ОЗУ. Да и подвержена эффекту застыванию.
У флеша скорее всего энергоэффективность лучше чем у мемристора. А вот по количеству состояний мемристор будет выигрывать.

[leo]

Цитата Pavia @ 28.02.13, 18:09

У мемристорной памяти скорость маленькая по сравнению с ОЗУ. Да и подвержена эффекту застыванию.
У флеша скорее всего энергоэффективность лучше чем у мемристора.

Ну, не-е, по сравнению с флэш у HP-мемристоров и энергоэффективность намного выше и срок службы (на пару порядков). А вот, что касается скорости по сранению с DRAM, то тут данные несколько противоречивые, и встречаются значения латентности от ~100-200 нс до ~10 нс (а неутомимый пропагандист Вильямс и вовсе заикается о единицах нс). Хотя если почитать сурьезнве статьи, то становится понятным, откуда берется этот разброс. Все дело в несопоставимости нано-размеров самимх мемристоров (~5нм) и обслуживающих их цепей чтения\записи, посторенных на традиционных MOS-транзисторах. Поэтому, если строить память по традиционной а-ля DRAM-технологии с индивидульным ключом на каждый резистор, то кардинально увеличить плотность размещения не получится (если только за счет многослойных 3D), хотя скорость чтения\записи при этом будет сравнимой с DRAM (+ энергоэффективность и энергонезависмость). Но ес-но такой вариант замены DRAM на сегодняшний день выглядит слишком революционным, и о нем можно говорить лишь как о возможной перспективе. А вот возможность замены флэш-памяти является вполне реальной, т.к. мемристорная память может строиться также и по блочному принципу из чисто резистивных матриц достаточно большого размера. Но разумеется, чем больше матрица, тем больше длина проводников и паразитное влияние ее неактивных элементов, дольше переходные процессы и ниже быстродействие. Отсюда и получается зависимость: чем больше плотность, тем ниже быстродействие, а также возможность построения чипов памяти различного назначения - как объемных для замены флэш\SSD, так и менее объемных, но более быстрых для замены или гибридного дополнения DRAM.