топология ИМС
 |
Наши проекты:
Журнал · Discuz!ML · Wiki · DRKB · Помощь проекту |
|
| ПРАВИЛА | FAQ | Помощь | Поиск | Участники | Календарь | Избранное | RSS |
| [3.129.39.252] |
|
|
ПРАВИЛА РАЗДЕЛА "Электроника и схемотехника"
В дополнение к основным ПРАВИЛАМ ФОРУМА :
1. Не забывайте указывать полное наименование, модель,марку, изготовителя и краткие характеристики оборудования.
2. Аргументируйте свое мнение - приводите развернутое высказывание или источник информации.
3. Запрещается обсуждать, размещать запросы и ссылки на схемы и оборудование
конфликтующие с законом или несущие явную потенциальную угрозу применения.
4. Не разрешается давать советы из разряда "Выкинь это старьё" и подобные.
5.Наглая реклама и самопиарщиана подлежит отстрелу сопровождаемому соответстующим наказанием
6.Запрещается создавать темы с просьбой выполнить какую-то работу за автора темы.
Форум является средством общения и общего поиска решения. Вашу работу за Вас никто выполнять не будет.
7.Запрещается создание тем, не относящиеся непосредственно к "Электронике и схемотехнике"
8.В этом разделе КАТЕГОРИЧЕСКИ запрещен мат во всех его проявлениях, а также: Ругань, оскорбления, переход на
личности.
Если Вы увидели нарушение правил раздела или форума, не поленитесь сообщить об этом модератору.
Участники форума, нарушающие правила, будут наказываться, а вносящие вклад в развитие форума - награждаться (DigiMoney и прочими радостями).
Приятного вам общения!
1. Не забывайте указывать полное наименование, модель,марку, изготовителя и краткие характеристики оборудования.
2. Аргументируйте свое мнение - приводите развернутое высказывание или источник информации.
3. Запрещается обсуждать, размещать запросы и ссылки на схемы и оборудование
конфликтующие с законом или несущие явную потенциальную угрозу применения.
4. Не разрешается давать советы из разряда "Выкинь это старьё" и подобные.
5.Наглая реклама и самопиарщиана подлежит отстрелу сопровождаемому соответстующим наказанием
6.Запрещается создавать темы с просьбой выполнить какую-то работу за автора темы.
Форум является средством общения и общего поиска решения. Вашу работу за Вас никто выполнять не будет.
7.Запрещается создание тем, не относящиеся непосредственно к "Электронике и схемотехнике"
8.В этом разделе КАТЕГОРИЧЕСКИ запрещен мат во всех его проявлениях, а также: Ругань, оскорбления, переход на
личности.
Если Вы увидели нарушение правил раздела или форума, не поленитесь сообщить об этом модератору.
Участники форума, нарушающие правила, будут наказываться, а вносящие вклад в развитие форума - награждаться (DigiMoney и прочими радостями).
Приятного вам общения!
топология ИМС
|
Сообщ.
#1
,
|
|
|
|
нужно по заданной принципиальной схеме сделать сабж
подскажите где взять хороших мануалов по теме, нужно детальное описание всего процесса |
|
Сообщ.
#2
,
|
|
  |
Именно ИМС?
Это довольно узкоспециальная тема. В далекую старину топологию "собирали" из кусков(этакий ковер на полу), представлявших собой нарисованные базовые элементы(И-НЕ, ИЛИ-НЕ и более крупные). Сейчас это делают при помощи специализированного ПО(но, опять же, из готовых блоков). |
|
Сообщ.
#3
,
|
|
|
|
Цитата trainer @ Именно ИМС? именно ее  мне нужен полностью весь процесс(и понимание оного), тоесть спец. ПО пока что не подходит, нада как в далекую старину  |
|
Сообщ.
#4
,
|
|
|
|
что-то не понятно, тебе нужен процесс изготовления микросхемы или процесс разработки микросхемы
|
|
Сообщ.
#5
,
|
 |
Цитата C06akaDuka @ мне нужен полностью весь процесс 1 тебе нужны параметры(проводимость, концентрация основных, неосновных ностелей заряда итд...) подложки(диэлектрик, нанесенный полупроводник, минимум 2 слоя n и n+ слой) 2 исходя из известных параметров(проводимость, концентрация основных и неосновных носителей, их подвижности итд) расчитываешь геометрические размеры электрорадиоэлементов. a)резистор исходя из проводимости проводника, b)конденсатор расчитывается из того что проводник n+ слоя распологается ближе к основанию подложки n+ - это 1я обкладка, n слой будет диэлектриком, а нанесённая метализация второй обкладкой, хотя 1й обкладкой может быть метал, а диелектрик м/у ними специально осаждаться c)полевой транзистор также расчитывается по имеющимся параметрам. очень сильно влияют лунки м/у затвором и стоком/истоком d)с индуктивностью тоже думаю всё понятно(спераль,миандра на слое метализации) итп после того как всё расчитано, начинаем чертить топологию слои 1 обтрав n и n+ слоя 2 обтрав n слоя 3 1й слой метализации 4 диэлектрик с прорезями для контактов и затворов 5 затворы 6 2й слой метализации 7 диэлектрик 8 3й слой, если потребуется 9 диэлектри при условии 8 пункта 10 метализация контактов (межслойных) переходов не забываем про фигуры совмещения слоёв ... примерно так. ЗЫ: курсач 3го курса - "проектирование усилителя на GaAs", выбиралась схема расчитывались параметры элементов в pspice расчитывались размеры в маткаде чертилась топология в компасе писались таблицы координат всех точек по всем слоям какая была литература не помню  |
1 пользователей читают эту тему (1 гостей и 0 скрытых пользователей)
0 пользователей:
[ Script execution time: 0,0599 ] [ 14 queries used ] [ Generated: 22.05.24, 03:20 GMT ]